注册供配电工程师专业基础考试考点归纳

注册电气工程师（供配电）《专业基础考试》考点手册

注册电气工程师（供配电）《专业基础考试》的考点手册，是由浙江大学、天津大学研究生根据考试教材、考试大纲、历年真题及最新相关法律来总结各个章节的考点知识，方便快速理解与记忆。
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第二章 模拟电子技术重点考点归纳

第一节 半导体及二极管

考点一 半导体及PN结 ★★★

1半导体基础

半导体包括本征半导体和杂质半导体（见表2-1-1）。

表2-1-1 本征半导体和杂质半导体

2PN结的形成过程及单向导电性

（1）PN结的形成过程

将一块P型半导体和N型半导体紧密连接在一起，则在结合面上会发生下列过程：

①两种半导体的界面上会因浓度差发生多数载流子的扩散运动，如图2-1-1（a）所示；

②随着扩散运动的进行，会形成一个电场，方向从N区指向P区，称为内电场，如图2-1-1（b）所示；

③内电场限制了多数载流子的扩散运动，促使少数载流子产生漂移运动。某个温度条件下，扩散和漂移会达到动态平衡，扩散电流和漂移电流相等，如图2-1-1（b）所示。

图2-1-1 PN结的形成过程（图中只画出了杂质原子）

（2）PN结的单向导电性

PN结外加正向电压与反向电压时会有不同的导电性（见表2-1-2）。

表2-1-2 PN结的单向导电性

考点二 半导体二极管 ★★★★

1半导体二极管的特性

半导体二极管的伏安特性曲线如图2-1-2所示。

图2-1-2 二极管的伏安特性曲线

由二极管的伏安特性曲线可得，二极管的特性分为正向特性和反向特性。

（1）U＞0，二极管处于正向特性区域，由图可得，二极管正向特性区域又分为三段。

硅二极管的死区电压U_th≈0.4V，锗二极管的死区电压U_th≈0.1V。

硅二极管的正向电压U_D≈0.7～0.8V，锗二极管的正向电压U_D≈0.3～0.4V。

（2）U＜0，二极管处于反向特性区域，由图可得，二极管反向特性区域又分为两段。

2半导体二极管的参数

（1）最大整流电流I_F。二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。

（2）反向击穿电压U_BR和最大反向工作电压U_RM。二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压U_BR。实际工作时，最大反向工作电压U_RM一般按反向击穿电压U_BR的一半计算。

（3）反向电流I_R。在室温下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。

（4）正向压降U_F。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。

（5）动态电阻r_d。动态电阻的定义如下：

（2-1-1）

……

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